芯片描述
芯片特点
| ○ |
工作电压范围：2.2V~3.6V 工作温度范围：-40℃~85℃ |
○ | 8-bit精简指令集，共有46条指令 | |
| ○ | 存储器空间：2K Words OTP ROM、128 Bytes SRAM、6级堆栈空间 | ○ | 8-Bit TimerA | |
| ○ | 掉电检测及看门狗，可防止死机 | ○ | 内置高精度RC振荡器，可提供4种CPU时钟 | |
| ○ |
提供3种工作模式： 运行模式：300μA@2MHz 待机模式：3μA@28kHz 休眠模式：1μA |
○ |
18-bit ΣΔADC： 内置可编程增益放大器，可选择1/4、1/2、1、2、4、8、16、32、64、128倍放大倍率。 内置输入零点调整，可针对不同应用增加其测量范围。 可选择不同的数据输出速度，高达1.95ksps。 |
|
| ○ | 1.0V内部模拟电路共地电压源，具有Push-Pull驱动能力，可提供传感器驱动电压 | ○ | 低电压检测功能：14段检测电压设置与外部输入电压检测功能 | |
| ○ |
LCD驱动器： 4*12显示点阵、1/4 Duty、1/3 Bias； 内置LCD Charge Pump稳压电路 |
○ | 模拟电压源VDDA具有10mA稳压电压源输出能力 | |
| ○ | Built-In EPROM (BIE)，内建低压烧写控制电路 | ○ | PFM控制线路 |
芯片框图
